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Organisation

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Freiburg im Breisgau

Name	Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
Zeit	1970- (Bestehen)
Ort	Freiburg im Breisgau Baden-Württemberg (Wirkungsraum) Deutschland
Variante	Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF IAF (1976-) (Abkürzung) IaFP (1970-1975) (Abkürzung) Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Freiburg, Breisgau) Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics Fraunhofer-Gesellschaft. Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik
Vorgänger	Institut für Elektrowerkstoffe (Stuttgart)
Administrativ übergeordnet	Fraunhofer-Gesellschaft
Beispiel für	Forschungseinrichtung
Beziehung	Halbleitertechnologie (Thema) Festkörperphysik (Thema)
Themengebiet	Wissenschaft Elektronik, Nachrichtentechnik Plasma, Gas, Flüssigkeit, Festkörper
Weitere Angaben	Forschungsinstitut (Grundlagen- und angewandte Forschung) zur Entwicklung von Halbleitertechnologien, 1970 aus Institut für Elektrowerkstoffe umbenannt, 1981 Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ausgegründet, 2004 Ausgründung der Diamond Materials GmbH
Quelle	https://www.iaf.fraunhofer.de (Stand: 09.04.2024) https://www.iaf.fraunhofer.de/content/dam/iaf/documents/institutsprofil/iaf50_jubilaeumsschrift.pdf (Stand: 27.09.2018)
Datensatztyp	Organisation
GND-Nummer	2077665-2
Datensatz-ID	007271913
Beteiligt an alle anzeigen Epitaxy of novel AlScN/GaN and AlYN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapour deposition Modeling of polarization reversal-induced interface sheet charge in wurtzite-type AlScN/GaN heterostructures Thermal characterization of GaN power switch HEMTs on different substrate materials AlGaN/GaN-basierte ionenselektive Feldeffekttransistoren zur pH-Wert-Messung in nichtwässrigen Lösungen Cavity-enhanced magnetic-field sensing via stimulated emission from nitrogen-vacancy centres in diamond Leakage mechanism in AlxGa1−xN/GaN heterostructures with AlN interlayer Manipulation of the in situ nitrogen‐vacancy doping efficiency in CVD‐grown diamond On the origin of the turn-on voltage drop of GaN-based current aperture vertical electron transistors Building blocks for GaN power integration Langlebige LED-Beleuchtung für raue Umgebungen mit elektrolytfreiem Treiber durch Oberwelleninjektion PCB-embedded GaN-on-Si half-bridge and driver ICs with on-package gate and DC-link capacitors Reliability and degradation mechanisms of GaN high electron mobility transistors with short gate length Halbleiter-Scheibenlaser und ihre Integration in anwendungsspezifische Resonatoren Toward ultra-thin nanocrystalline diamond film growth: electrostatic self-assembly of non-aggregated diamond nanoparticles onto substrate surfaces W-Band FMCW MIMO radar demonstrator system for 3D imaging Wettability investigations and wet transfer enhancement of large-area CVD-Graphene on aluminum nitride GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors Simulation of RF MEMS based matching networks and a single pole double throw switch for Multiband T/R Modules Science for systems 50 Jahre Fraunhofer IAF : heller - schneller - stärker ; Jubiläumsschrift ; [1957 - 2007] Epitaxial growth and device fabrication of GaN based electronic and optoelectronic structures = Epitaktisches Wachstum und Bandelementfertigung von GaN basierten elektronischen und optoelektronischen Strukturen Annual report / Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik = Jahresbericht / Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik Flüssigkristallmaterialien und elektrooptische Effekte für hochinformative Displays Identifizierung und Charakterisierung von Punktdefekten in GaAs und InP Untersuchung absorptiver elektrochemischer Systeme für die Displayanwendung Untersuchung elektrooptischer Flüssigkristall-Effekte für grosse Temperaturbereiche und hohen Informationsfluss Grundlagen der Solarenergieumwandlung auf der Basis von Fluoreszenzkollektoren Elektrooptische Effekte für die Anwendung in Flüssigkristall-Displays Elektrooptische Effekte in Flüssigkristallen für die Displayanwendung Untersuchung elektrochromer Effekte für die Displayanwendung Leistungszentrum Nachhaltigkeit Freiburg

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Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik

Epitaxy of novel AlScN/GaN and AlYN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapour deposition

Modeling of polarization reversal-induced interface sheet charge in wurtzite-type AlScN/GaN heterostructures

Thermal characterization of GaN power switch HEMTs on different substrate materials

AlGaN/GaN-basierte ionenselektive Feldeffekttransistoren zur pH-Wert-Messung in nichtwässrigen Lösungen

Cavity-enhanced magnetic-field sensing via stimulated emission from nitrogen-vacancy centres in diamond

Leakage mechanism in AlxGa1−xN/GaN heterostructures with AlN interlayer

Manipulation of the in situ nitrogen‐vacancy doping efficiency in CVD‐grown diamond

On the origin of the turn-on voltage drop of GaN-based current aperture vertical electron transistors

Building blocks for GaN power integration

Langlebige LED-Beleuchtung für raue Umgebungen mit elektrolytfreiem Treiber durch Oberwelleninjektion

PCB-embedded GaN-on-Si half-bridge and driver ICs with on-package gate and DC-link capacitors

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