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Allgemeinbegriff

Transistor

Halbleiterbauelement

Sachbegriff	Transistor
Oberbegriff	Halbleiterbauelement
Themengebiet	Elektronik, Nachrichtentechnik
Quelle	M
Datensatztyp	Allgemeinbegriff
GND-Nummer	4060646-6
Datensatz-ID	040606465
Thema in alle anzeigen Charge Transport in and Luminescence from Covalently Functionalized Carbon Nanotube Networks Investigation of the Electron-Doping Process in Metallicity-Enriched HiPCO Single-Walled Carbon Nanotubes Operationsverstärker und Transistoren : elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt Operationsverstärker und Transistoren : Elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt Optische Kontrolle und metallorganische Modifikation elektrochemisch hergestellter Punktkontakte Charakterisierung und Analyse vom Reverse and Forward Body Biasing als Durchsatz- und Leistungsoptimierungstechnik für Multi-Core Mikrocontroller Charakterisierung und Modellierung von Leistungshalbleitern im Frequenzbereich Entwicklung eines Low-Side Komparators für einen Sägezahngenerator zur Verwendung in einem Tiefsetzsteller in 180nm CMOS Technologie Entwurf eines Low-Drop Out Regulators in 180nm CMOS Technologie für die Verwendung in einem synchronen DC-DC Spannungswandler Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie Entwurf und Layout einer Treiberstufe für die Verwen-dung in einem synchronen Abwärtswandler Grundlagen der Mikroelektronik 1 Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate Strahlenharter CAN Physical Layer in 65 nm CMOS Technologie für das Kontrollsystem des ATLAS Pixeldetektors Überlast- und kurzschlussfester NPN/PNP-fähiger digitaler Ausgang Entwicklung einer höchsteffizienten, weichschaltenden Totem-Pole PFC Stufe basierend auf GaN Transistoren Entwurf, Aufbau und Betrieb eines Tiefsetzstellers. Eine Ausarbeitung Entwurf, Aufbau und Betrieb eines Tiefsetzstellers. Eine Ausarbeitung Freie Energie Magnetmotor selber bauen : Mit dem Premium 3D Modell im Buch Graphen - epitaktisches Wachstum, Charakterisierung und nicht-klassische elektrische Bauelementekonzepte Optimierung mit Taktsignalen angesteuerter Stromschalter in breitbandigen Hochgeschwindigkeitsschaltungen in Bipolar-Technologie Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band Yildiz Freie Energie Magnetmotor selber bauen : Mit dem Yildiz Premium 3D Modell im Buch Alterungsanalyse komplexer analoger integrierter Schaltungen aus Systemsicht Design und Entwicklung von MHz-Wechselrichtern für den Leistungsbereich über 10 kW Dynamisch adaptive Mikroarchitekturen mit optimierten Speicherstrukturen und variablen Befehlssätzen Entwicklung integrierter Treiber-Verstärker für optische Übertragungssysteme in SiGe-Bipolar-Technologie Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterbauelementen Fehlererkennung in Frequenzumrichtern vor Pulsfreigabe Herstellung ultra-dünner hoch-Ɛr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren Methoden zur Verbesserung von CMOS integrierten Arbiter-PUFs Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band Organische Dünnschichttransistoren mit gedrucktem Halbleiter für Schaltungen und Anzeigen Ultra-Low-Power Schaltungen für Mikrosysteme in CMOS-Technologie Untersuchung von Galliumnitrid-Transistoren für den Einsatz in der Antriebstechnik Anordnung zum Parallelbetrieb von Leistungstransistoren in Schwingkreiswechselrichtern Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen Ausloeseschaltung fuer Sicherung mit Schaltnetzteil Autosynchrongleichrichter mittels MOS-Transistor und Operationsverstaerker Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN Dioden und Transistoren auf der Basis von nasschemisch synthetisierten ZnO-Nanopartikeln Drucken Organischer Feldeffekttransistoren: Prozessbezogene Analyse des Ladungsträgertransports Entwicklung eines Back-End-Prozesses für eine vollständig CMOS-kompatible Integration nanoskaliger Drucksensoren Explosionsgeschuetzte und in die Stromschleife eines Messumformers integrierte LED-Hintergrundbeleuchtung Feldhohlraum-Trenchtransistor Implementierung des Drift-Diffusions-Modells zur Berechnung des elektronischen Transportes durch Kohlenstoffnanoröhrchen Integration einer Zuverlässigkeitsbewertung und -optimierung in den RT- und Gate-Level Entwurfsfluss Multilevel Ansteuerverfahren fuer spannungsgesteuerte Transistoren PFC-Steuerung in Schwachlast- und Standby-Betrieb Schaltbare/Abstimmbare Anpassung eines rauscharmen Vorverstaerkers zwischen Rauschzahl- oder Linearitaetsoptimum Schaltkreistechnologien für digitale Rechenanlagen Sichere elektronische Umschaltung bzw. Abschaltung Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D Skalierung von Tripel & Multi Backgate Bauteilen für die Herstellung von Tunnel- & Superlattice-FETs Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant Untersuchung des elektronischen Transports an 28 nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten

Hinweis

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Transistor

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Operationsverstärker und Transistoren : elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt

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Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC

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Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN

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