Titel |
Reliability of high-k/metal gate field-effect transistors considering circuit operational constraints / Steve Kupke |
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Beteiligt |
Steve Kupke (Verfasser) |
Erschienen |
Norderstedt: BoD - Books on Demand |
Ausgabe |
[1. Auflage] |
Umfang |
118 Seiten : Illustrationen |
Hochschulschrift |
Dissertation, Technische Universität Dresden, 2015 |
ISBN |
978-3-7412-0869-0 |
Sprache |
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Land |
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Themengebiet |
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Thema |
High-k Metal-Gate-Technik, Hafniumdioxid, High-k-Dielektrikum, MOS-FET, Statisches RAM, Schaltvorgang, Degradation (Technik), Schwellenspannung, Durchschlagspannung, Zuverlässigkeit |
DDC-Notation |
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Reihe |
Research at NaMLab |
Andere Ausgaben |
Erscheint auch als Online-Ausgabe: Reliability of high-k/metal gate field-effect transistors considering circuit operational constraints |
Datensatz-ID |
1102947784 |
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