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Daniel Schwarz, Hannes S. Funk, Michael Oehme u. a.

Alloy Stability of Ge1−x Sn x with Sn Concentrations up to 17% Utilizing Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy

Erschienen in: Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 14.5.2020

Titel

Alloy Stability of Ge1−x Sn x with Sn Concentrations up to 17% Utilizing Low-Temperature Molecular Beam Epitaxy

Beteiligt

Daniel Schwarz (Verfasser)
Hannes S. Funk (Verfasser)
Michael Oehme (Verfasser)
Jörg Schulze (Verfasser)
SpringerLink (Online service) (Sonstige)

Erschienen in

Journal of electronic materials : JEM ; a publication of the Minerals, Metals & Materials Society (TMS) and the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) 14.5.2020, Seite 1-7

Erschienen

2020

Sprache

Englisch

Land

Deutschland

Themen­gebiet

Physik

Thema

Optical and Electronic Materials.
Characterization and Evaluation of Materials.
Electronics and Microelectronics, Instrumentation.
Solid State Physics.

DDC-Notation

537.6223

Persistent Identifier

urn:nbn:de:101:1-2020071819314835424117 (URN)
10.1007/s11664-020-08188-6 (DOI)

Datensatz-ID

1214101038
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