Titel |
Reliability and degradation mechanisms of GaN high electron mobility transistors with short gate length |
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Beteiligt |
Tobias Kemmer (Verfasser)
Oliver Ambacher (Sonstige) Frank Schwierz (Sonstige) Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Institut für Nachhaltige Technische Systeme (Mitwirkender)
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Mitwirkender)
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Fakultät für Angewandte Wissenschaften (Grad-verleihende Institution) |
Erschienen |
Freiburg: Universität |
Umfang |
Online-Ressource |
Hochschulschrift |
Dissertation, Universität Freiburg, 2021 |
Sprache |
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Land |
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Themengebiet |
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Thema |
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DDC-Notation |
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Persistent Identifier |
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-2238799 (URN) |
Datensatz-ID |
1250676398 |
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