Titel |
Tailoring the Switching Dynamics in Yttrium Oxide‐Based RRAM Devices by Oxygen Engineering: From Digital to Multi‐Level Quantization toward Analog Switching |
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Beteiligt |
Stefan Petzold (Verfasser)
Eszter Piros (Verfasser) Robert Eilhardt (Verfasser) Alexander Zintler (Verfasser)
Tobias Vogel (Verfasser)
Nico Kaiser (Verfasser) Aldin Radetinac (Verfasser) Philipp Komissinskiy (Verfasser) Eric Jalaguier (Verfasser) Emmanuel Nolot (Verfasser) Christelle Charpin‐Nicolle (Verfasser) Christian Wenger (Verfasser) Leopoldo Molina-Luna (Verfasser) Enrique Miranda (Verfasser) Lambert Alff (Verfasser) |
Erschienen in |
Advanced electronic materials 6, 11, 2020 |
Erschienen |
09.09.2020 |
Sprache |
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Land |
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Thema |
analog
conductance quantization gradual neuromorphic
oxygen engineering
resistive switching memory yttria yttrium oxide |
Persistent Identifier |
urn:nbn:de:101:1-2022062309063791296382 (URN) |
Datensatz-ID |
126065267X |
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