Titel |
Leakage mechanism in AlxGa1−xN/GaN heterostructures with AlN interlayer |
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Beteiligt |
Klaus Köhler (Verfasser)
Wilfried Pletschen (Verfasser) Lutz Kirste (Verfasser) Stefano Leone (Verfasser)
Stefan Müller (Verfasser)
Rolf Aidam (Verfasser) Wolfgang Bronner (Verfasser) Peter Brückner (Verfasser) Patrick Waltereit (Verfasser) Vladimir Polyakov (Verfasser) Oliver Ambacher (Verfasser) Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Mitwirkender) Professur für Leistungselektronik (Mitwirkender) |
Erschienen |
Freiburg: Universität |
Umfang |
Online-Ressource |
Sprache |
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Land |
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Themengebiet |
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Thema |
Materials chemistry |
DDC-Notation |
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Persistent Identifier |
urn:nbn:de:bsz:25-freidok-2282439 (URN) |
Weitere Angaben |
Semiconductor science and technology. - 37, 2 (2022) , 025016, ISSN: 1361-6641 |
Datensatz-ID |
126223851X |
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