Titel |
Resistive Switching: Forming‐Free Grain Boundary Engineered Hafnium Oxide Resistive Random Access Memory Devices (Adv. Electron. Mater. 10/2019) |
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Beteiligt |
Stefan Petzold (Verfasser)
Alexander Zintler (Verfasser) Robert Eilhardt (Verfasser) Eszter Piros (Verfasser)
Nico Kaiser (Verfasser)
Sankaramangalam Ulhas Sharath (Verfasser) Tobias Vogel (Verfasser) Márton Major (Verfasser) Keith Patrick McKenna (Verfasser) Leopoldo Molina‐Luna (Verfasser) Lambert Alff (Verfasser) |
Erschienen in |
Advanced electronic materials 5, 10, 2019 |
Erschienen |
10.10.2019 |
Sprache |
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Land |
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Persistent Identifier |
urn:nbn:de:101:1-2022080613174443066715 (URN) |
Datensatz-ID |
1264679300 |
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