Titel |
A Combination of Ion Implantation and High‐Temperature Annealing: The Origin of the 265 nm Absorption in AlN |
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Beteiligt |
Lukas Peters (Verfasser) |
Erschienen in |
Physica status solidi. A, Applications and materials science 03.11.2022 |
Erschienen |
03.11.2022 |
Sprache |
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Land |
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Thema |
absorption
AlN carbon high-temperature annealing
ion implantation
point defects transmittance |
Persistent Identifier |
urn:nbn:de:101:1-2022110414163674952750 (URN) |
Datensatz-ID |
1272011836 |
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