Titel |
Role of Oxygen Defects in Conductive-Filament Formation in Y2O3-Based Analog RRAM Devices as Revealed by Fluctuation Spectroscopy |
|---|---|
Beteiligt |
Eszter Piros (Verfasser)
Martin Lonsky (Verfasser) Stefan Petzold (Verfasser) Alexander Zintler (Verfasser)
S.U. Sharath (Verfasser)
Tobias Vogel (Verfasser) Nico Kaiser (Verfasser) Robert Eilhardt (Verfasser) Leopoldo Molina-Luna (Verfasser) Christian Wenger (Verfasser) |
Erschienen |
College Park, Md. [u.a.] : American Physical Society |
Umfang |
Online-Ressource |
Sprache |
|
Land |
|
Thema |
RRAM
Yttrium oxide Conductive filaments Device resistance
Fluctuation spectroscopy
Frequency exponent High resistive state Low-Frequency Noise Noise magnitude Resistive random access memory Oxygen vacancies |
Persistent Identifier |
10.34657/6673 (DOI) |
Weitere Angaben |
In: Physical review applied 14 (2020), Nr. 3 |
Datensatz-ID |
1280381515 |
Hinweis
Die Betaversion beinhaltet noch nicht alle Funktionen und Informationen des Katalogs des DNB-Portals. Falls Sie Informationen vermissen oder ein Medium bestellen wollen, besuchen Sie bitte die entsprechende Seite im Katalog des DNB-Portals über folgenden Link: