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Fatemeh Gholamrezaie, Anne‐Marije Andringa, W. S. Christian Roelofs u. a.

Charge Trapping by Self‐Assembled Monolayers as the Origin of the Threshold Voltage Shift in Organic Field‐Effect Transistors

Erschienen in: Small : nano micro 8, 2, 2012

Titel

Charge Trapping by Self‐Assembled Monolayers as the Origin of the Threshold Voltage Shift in Organic Field‐Effect Transistors

Beteiligt
Fatemeh Gholamrezaie (Verfasser)
Anne‐Marije Andringa (Verfasser)
W. S. Christian Roelofs (Verfasser)
Alfred Neuhold (Verfasser)
Martijn Kemerink (Verfasser)
P. W. M. Blom (Verfasser)
Dago M. de Leeuw (Verfasser)

Erschienen in

Small : nano micro 8, 2, 2012, Seite 241-245

Erschienen

25.11.2011

Sprache

Englisch

Land

Deutschland

Thema

organosilanes
self‐assembly
organic field‐effect transistors
threshold voltage
scanning Kelvin‐probe microscopy

Persistent Identifier

urn:nbn:de:101:1-2023022210072711616022 (URN)
10.1002/smll.201101467 (DOI)

Datensatz-ID

1281634239
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