Titel |
Eigenschaften elektrisch aktiver Zustände an der Grenzfläche SiC SiO2 / vorgelegt von Michael Baßler |
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Beteiligt |
Michael Baßler (Verfasser) |
Erschienen |
2000 |
Umfang |
IV, 170 S. : graph. Darst. |
Hochschulschrift |
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2000 |
Themengebiet |
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Thema |
Siliciumcarbid, Siliciumdioxid, Kondensator, MOS, Elektronenzustand |
Datensatz-ID |
960896201 |
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