Titel |
Successive laser crystallization of doped and undoped a-Si:H / vorgelegt von Philipp Lengsfeld |
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Beteiligt |
Philipp Lengsfeld (Verfasser) |
Erschienen |
2001 |
Hochschulschrift |
Berlin, Techn. Univ., Diss., 2001 |
Sprache |
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Thema |
Siliciumhalbleiter, Amorpher Zustand, Wasserstoff, Rekristallisation, Raman-Spektroskopie, Online-Publikation |
Persistent Identifier |
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Datensatz-ID |
961808918 |
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