Titel |
Near thermal equilibrium growth of 4H-, 6H-, and 15R-silicon carbide single crystals : sublimation growth of bulk SiC by modified Lely method and the structural, electrical, and optical characterization / Norbert Schulze |
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Beteiligt |
Norbert Schulze (Verfasser) |
Erschienen |
Aachen: Shaker |
Umfang |
121, XIV S. : Ill., graph. Darst. |
Hochschulschrift |
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2001 |
ISBN |
978-3-8265-9210-2 |
Sprache |
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Themengebiet |
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Thema |
Siliciumcarbid, Polytypie, Einkristall, Kristallzüchtung, Hall-Effekt, Raman-Spektroskopie |
Reihe |
Berichte aus der Halbleitertechnik |
Andere Ausgaben |
Erscheint auch als Online-Ausgabe: Near-Thermal-Equilibrium Growth of 4H-, 6H-, and 15R-Silicon Carbide Single Crystals : Sublimation growth of bulk SiC by the modified Lely method and the structural, electrical, and optical characterization |
Datensatz-ID |
962129291 |
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