Titel |
Herstellung von p-Kanal-Ge-MOSFETs auf Si-Substraten mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (SME) / Dirk Reinking |
|---|---|
Beteiligt |
Dirk Reinking (Verfasser) |
Erschienen |
Aachen: Shaker |
Umfang |
V, 137 S. : Ill., graph. Darst. |
Hochschulschrift |
Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 2000 |
ISBN |
978-3-8265-9293-5 |
Themengebiet |
|
Thema |
MOS-FET, p-Kanal-FET, Silicium, Germanium, Heteroepitaxie, Grenzflächenaktiver Stoff |
Reihe |
Berichte aus der Halbleitertechnik |
Andere Ausgaben |
Erscheint auch als Online-Ausgabe: Herstellung von p-Kanal-Ge-MOSFETs auch Si-Substraten mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (SME) |
Datensatz-ID |
962227129 |
Hinweis
Die Betaversion beinhaltet noch nicht alle Funktionen und Informationen des Katalogs des DNB-Portals. Falls Sie Informationen vermissen oder ein Medium bestellen wollen, besuchen Sie bitte die entsprechende Seite im Katalog des DNB-Portals über folgenden Link: