Titel |
Technologiekonzepte für sub-100-nm-SiGe-Hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich / von Marco Zeuner |
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Beteiligt |
Marco Zeuner (Verfasser) |
Erschienen |
2003 |
Umfang |
Online-Ressource |
Hochschulschrift |
Hannover, Univ., Diss., 2002 |
Thema |
n-Kanal-FET, Hochfrequenztransistor, Heterostruktur-Bauelement, Silicium, Germanium, Online-Publikation |
Andere Ausgaben |
Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Technologiekonzepte für sub-100-nm-SiGe-hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich |
Persistent Identifier |
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Datensatz-ID |
968891225 |
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