Detail page

Knowledge Web

Allgemeinbegriff

Transistor

Halbleiterbauelement

Subject heading	Transistor
Broader term	Halbleiterbauelement
Topic	Elektronik, Nachrichtentechnik
Source	M
Record type	Allgemeinbegriff
GND-Identifier	4060646-6
Record ID	040606465
Topic of show all Charge Transport in and Luminescence from Covalently Functionalized Carbon Nanotube Networks Investigation of the Electron-Doping Process in Metallicity-Enriched HiPCO Single-Walled Carbon Nanotubes Operationsverstärker und Transistoren : elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt Operationsverstärker und Transistoren : Elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt Optische Kontrolle und metallorganische Modifikation elektrochemisch hergestellter Punktkontakte Charakterisierung und Analyse vom Reverse and Forward Body Biasing als Durchsatz- und Leistungsoptimierungstechnik für Multi-Core Mikrocontroller Charakterisierung und Modellierung von Leistungshalbleitern im Frequenzbereich Entwicklung eines Low-Side Komparators für einen Sägezahngenerator zur Verwendung in einem Tiefsetzsteller in 180nm CMOS Technologie Entwurf eines Low-Drop Out Regulators in 180nm CMOS Technologie für die Verwendung in einem synchronen DC-DC Spannungswandler Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie Entwurf und Layout einer Treiberstufe für die Verwen-dung in einem synchronen Abwärtswandler Grundlagen der Mikroelektronik 1 Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate Strahlenharter CAN Physical Layer in 65 nm CMOS Technologie für das Kontrollsystem des ATLAS Pixeldetektors Überlast- und kurzschlussfester NPN/PNP-fähiger digitaler Ausgang Entwicklung einer höchsteffizienten, weichschaltenden Totem-Pole PFC Stufe basierend auf GaN Transistoren Entwurf, Aufbau und Betrieb eines Tiefsetzstellers. Eine Ausarbeitung Entwurf, Aufbau und Betrieb eines Tiefsetzstellers. Eine Ausarbeitung Freie Energie Magnetmotor selber bauen : Mit dem Premium 3D Modell im Buch Graphen - epitaktisches Wachstum, Charakterisierung und nicht-klassische elektrische Bauelementekonzepte Optimierung mit Taktsignalen angesteuerter Stromschalter in breitbandigen Hochgeschwindigkeitsschaltungen in Bipolar-Technologie Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band Yildiz Freie Energie Magnetmotor selber bauen : Mit dem Yildiz Premium 3D Modell im Buch Alterungsanalyse komplexer analoger integrierter Schaltungen aus Systemsicht Design und Entwicklung von MHz-Wechselrichtern für den Leistungsbereich über 10 kW Dynamisch adaptive Mikroarchitekturen mit optimierten Speicherstrukturen und variablen Befehlssätzen Entwicklung integrierter Treiber-Verstärker für optische Übertragungssysteme in SiGe-Bipolar-Technologie Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterbauelementen Fehlererkennung in Frequenzumrichtern vor Pulsfreigabe Herstellung ultra-dünner hoch-Ɛr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren Methoden zur Verbesserung von CMOS integrierten Arbiter-PUFs Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band Organische Dünnschichttransistoren mit gedrucktem Halbleiter für Schaltungen und Anzeigen Ultra-Low-Power Schaltungen für Mikrosysteme in CMOS-Technologie Untersuchung von Galliumnitrid-Transistoren für den Einsatz in der Antriebstechnik Anordnung zum Parallelbetrieb von Leistungstransistoren in Schwingkreiswechselrichtern Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen Ausloeseschaltung fuer Sicherung mit Schaltnetzteil Autosynchrongleichrichter mittels MOS-Transistor und Operationsverstaerker Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN Dioden und Transistoren auf der Basis von nasschemisch synthetisierten ZnO-Nanopartikeln Drucken Organischer Feldeffekttransistoren: Prozessbezogene Analyse des Ladungsträgertransports Entwicklung eines Back-End-Prozesses für eine vollständig CMOS-kompatible Integration nanoskaliger Drucksensoren Explosionsgeschuetzte und in die Stromschleife eines Messumformers integrierte LED-Hintergrundbeleuchtung Feldhohlraum-Trenchtransistor Implementierung des Drift-Diffusions-Modells zur Berechnung des elektronischen Transportes durch Kohlenstoffnanoröhrchen Integration einer Zuverlässigkeitsbewertung und -optimierung in den RT- und Gate-Level Entwurfsfluss Multilevel Ansteuerverfahren fuer spannungsgesteuerte Transistoren PFC-Steuerung in Schwachlast- und Standby-Betrieb Schaltbare/Abstimmbare Anpassung eines rauscharmen Vorverstaerkers zwischen Rauschzahl- oder Linearitaetsoptimum Schaltkreistechnologien für digitale Rechenanlagen Sichere elektronische Umschaltung bzw. Abschaltung Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D Skalierung von Tripel & Multi Backgate Bauteilen für die Herstellung von Tunnel- & Superlattice-FETs Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant Untersuchung des elektronischen Transports an 28 nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten

Please note

The beta version does not yet contain all functions and information of the DNB portal catalogue. If you are missing information or want to order a medium, please visit the page in the DNB portal catalogue via the following link:

Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Transistor

Charge Transport in and Luminescence from Covalently Functionalized Carbon Nanotube Networks

Investigation of the Electron-Doping Process in Metallicity-Enriched HiPCO Single-Walled Carbon Nanotubes

Operationsverstärker und Transistoren : elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt

Operationsverstärker und Transistoren : Elektronische Schaltungen mit alternativen Methoden dargestellt

Optische Kontrolle und metallorganische Modifikation elektrochemisch hergestellter Punktkontakte

Charakterisierung und Analyse vom Reverse and Forward Body Biasing als Durchsatz- und Leistungsoptimierungstechnik für Multi-Core Mikrocontroller

Charakterisierung und Modellierung von Leistungshalbleitern im Frequenzbereich

Entwicklung eines Low-Side Komparators für einen Sägezahngenerator zur Verwendung in einem Tiefsetzsteller in 180nm CMOS Technologie

Entwurf eines Low-Drop Out Regulators in 180nm CMOS Technologie für die Verwendung in einem synchronen DC-DC Spannungswandler

Entwurf eines strahlenharten 5V Spannungsreglers aus kaskodierten Dünngate-Transistoren in einer 65nm CMOS Technologie

Entwurf und Layout einer Treiberstufe für die Verwen-dung in einem synchronen Abwärtswandler

Grundlagen der Mikroelektronik 1

Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC

Kundenspezifische integrierte Schaltungen. Ein Vergleich zwischen FPGA, ASSP und ASIC

Simulationsmodell für einen GaN-HEMT mit Schottky p-GaN-Gate

Strahlenharter CAN Physical Layer in 65 nm CMOS Technologie für das Kontrollsystem des ATLAS Pixeldetektors

Überlast- und kurzschlussfester NPN/PNP-fähiger digitaler Ausgang

Entwicklung einer höchsteffizienten, weichschaltenden Totem-Pole PFC Stufe basierend auf GaN Transistoren

Entwurf, Aufbau und Betrieb eines Tiefsetzstellers. Eine Ausarbeitung

Entwurf, Aufbau und Betrieb eines Tiefsetzstellers. Eine Ausarbeitung

Freie Energie Magnetmotor selber bauen : Mit dem Premium 3D Modell im Buch

Graphen - epitaktisches Wachstum, Charakterisierung und nicht-klassische elektrische Bauelementekonzepte

Optimierung mit Taktsignalen angesteuerter Stromschalter in breitbandigen Hochgeschwindigkeitsschaltungen in Bipolar-Technologie

Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band

Yildiz Freie Energie Magnetmotor selber bauen : Mit dem Yildiz Premium 3D Modell im Buch

Alterungsanalyse komplexer analoger integrierter Schaltungen aus Systemsicht

Design und Entwicklung von MHz-Wechselrichtern für den Leistungsbereich über 10 kW

Dynamisch adaptive Mikroarchitekturen mit optimierten Speicherstrukturen und variablen Befehlssätzen

Entwicklung integrierter Treiber-Verstärker für optische Übertragungssysteme in SiGe-Bipolar-Technologie

Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterbauelementen

Fehlererkennung in Frequenzumrichtern vor Pulsfreigabe

Herstellung ultra-dünner hoch-Ɛr Oxide und deren Verhalten unter dynamischen elektrischen Stressbedingungen

Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren

Methoden zur Verbesserung von CMOS integrierten Arbiter-PUFs

Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band

Organische Dünnschichttransistoren mit gedrucktem Halbleiter für Schaltungen und Anzeigen

Ultra-Low-Power Schaltungen für Mikrosysteme in CMOS-Technologie

Untersuchung von Galliumnitrid-Transistoren für den Einsatz in der Antriebstechnik

Anordnung zum Parallelbetrieb von Leistungstransistoren in Schwingkreiswechselrichtern

Atomistische Simulationen der Diffusionsprozesse in SiGe Verbindungen

Ausloeseschaltung fuer Sicherung mit Schaltnetzteil

Autosynchrongleichrichter mittels MOS-Transistor und Operationsverstaerker

Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN

Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN

Dioden und Transistoren auf der Basis von nasschemisch synthetisierten ZnO-Nanopartikeln

Drucken Organischer Feldeffekttransistoren: Prozessbezogene Analyse des Ladungsträgertransports

Entwicklung eines Back-End-Prozesses für eine vollständig CMOS-kompatible Integration nanoskaliger Drucksensoren

Explosionsgeschuetzte und in die Stromschleife eines Messumformers integrierte LED-Hintergrundbeleuchtung

Feldhohlraum-Trenchtransistor

Implementierung des Drift-Diffusions-Modells zur Berechnung des elektronischen Transportes durch Kohlenstoffnanoröhrchen

Integration einer Zuverlässigkeitsbewertung und -optimierung in den RT- und Gate-Level Entwurfsfluss

Multilevel Ansteuerverfahren fuer spannungsgesteuerte Transistoren

PFC-Steuerung in Schwachlast- und Standby-Betrieb

Schaltbare/Abstimmbare Anpassung eines rauscharmen Vorverstaerkers zwischen Rauschzahl- oder Linearitaetsoptimum

Schaltkreistechnologien für digitale Rechenanlagen

Sichere elektronische Umschaltung bzw. Abschaltung

Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D

Skalierung von Tripel & Multi Backgate Bauteilen für die Herstellung von Tunnel- & Superlattice-FETs

Transfer von AlGaN/GaN-Hochleistungstransistoren auf Diamant

Untersuchung des elektronischen Transports an 28 nm MOSFETs und an Schottky-Barrieren FETs aus Silizium-Nanodrähten