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Allgemeinbegriff

Großsignalverhalten

Subject heading	Großsignalverhalten
Synonym	Großsignaltheorie (W Physik)
Topic	Elektronik, Nachrichtentechnik
Source	ZDE-Thes.
Record type	Allgemeinbegriff
GND-Identifier	4158301-2
Record ID	041583019
Topic of show all Empirical large-signal modeling of 22-nm FDSOI CMOS transistors in RF/mm-Wave range Characterization and Modeling of the Threshold Voltage Instability in p-Gate GaN HEMTs Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors for High Power Applications High-Q AlGaN/GaN varactors for mobile communication systems Kurzzeitverhalten von leistungselektronisch angekoppelten Verbrauchern mit frequenzabhängiger netzdienlicher Regelung GaN HEMT modeling including trapping effects based on Chalmers model and pulsed S-parameter measurements GaN HEMT modeling including trapping effects based on Chalmers model and pulsed S-parameter measurements Modeling of dispersive millimeter-wave GaN HEMT devices for high power amplifier design Advanced modeling of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs Device Characterization and Modeling of Large-Size GaN HEMTs Neue Methodik zur Modellierung und zum Entwurf keramischer Aktorelemente Neue Methodik zur Modellierung und zum Entwurf keramischer Aktorelemente Design and characterization of an analog frontend for passive multi-standard CMOS RFID transponders Echtzeit-Kompensation von komplexen hysterese- und kriechbehafteten Nichtlinearitäten am Beispiel von Festkörperaktoren GaN-based Heterostructure Field-Effect Transistors and MMICs for High Frequency Applications GaN-based heterostructure field effect transistors and MMICs for high frequency applications Entwurf und Realisierung neuartiger Schaltungskonzepte mit Resonanztunneldioden Large-signal modeling of GaN HEMTs for linear power amplifier design Large-Signal Modeling of GaN HEMTs for Linear Power Amplifier Design Charakterisierung und Modellierung von Aluminium-Galliumnitrid, Galliumnitrid-Heterostrukturfeldeffekttransistoren Charakterisierung und Modellierung von Aluminium–Galliumnitrid/Galliumnitrid–Heterostrukturfeldeffekttransistoren Large signal modeling of GaN device for high power amplifier design Piezoaktoren für Anwendungen im Kraftfahrzeug, Messtechnik und Modellierung Piezoaktoren für Anwendungen im Kraftfahrzeug, Messtechnik und Modellierung Large signal modeling of GaN device for high power amplifier design Piezoaktoren für Anwendungen im Kraftfahrzeug, Messtechnik und Modellierung An indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistor technology for 80 Gb/s integrated circuits Pulsed measurement based nonlinear characterization of avalanche photodiode for the time error correction of 3D pulsed laser radar Pulsed measurement based nonlinear characterization of avalanche photodiode for the time error correction of 3D pulsed laser radar A new and efficient method of designing low noise microwave oscillators Entwurfsverfahren von breitbandigen Frequenzvervielfachern für ein multiharmonisches Source- und Load-pull-Messsystem Entwurfsverfahren von breitbandigen Frequenzvervielfachern für ein multiharmonisches Source- und Load-pull-Messsystem Das Großsignalverhalten piezoelektrischer Aktoren Großsignalmodell für GaAs Hetero-Bipolar-Transistoren für Leistungsanwendungen in der Mobilkommunikation Nichtlineares piezoelektrisches Finite-Elemente-Verfahren zur Modellierung piezokeramischer Aktoren Inverse Steuerung piezoelektrischer Aktoren mit Hysterese-, Kriech- und Superpositionsoperatoren Inverse Steuerung piezoelektrischer Aktoren mit Hysterese-, Kriech- und Superpositionsoperatoren Noise in semiconductor devices : modeling and simulation Noise in Semiconductor Devices : Modeling and Simulation Numerische Analyse und Computeroptimierung von elektrodynamischen Aktoren : am Beispiel eines elektrodynamischen Lautsprechers Entwicklung eines konsistenten elektrothermischen Großsignalmodells für Feldeffekttransistoren als Grundlage für den zuverlässigen Entwurf monolithischer Frequenzverdoppler Fehlerkorrigiertes 50-GHz-Messsystem für nichtlineare elektrooptische Ein- und Zweitore Fehlerkorrigiertes 50-GHz-Messsystem für nichtlineare elektrooptische Ein- und Zweitore Großsignalmodellierung von SiGe-Heterobipolartransistoren für den Entwurf von Millimeterwellenschaltungen Rauschuntersuchungen an balancierten resistiven Mischern Analyse und Simulation des Einseitenband-Phasenrauschens von harmonischen Oszillatoren aufgrund einer PSPICE-Netzliste Ein Beitrag zur Modellierung und Grosssignal-Simulation von MESFETs /HEMTs in konzentrierter und in Layout-orientierter Form für MIC- und MMIC-Anwendungen Ein Beitrag zur Modellierung und Großsignal-Simulation von MESFETs/HEMTs in konzentrierter und in Layout-orientierter Form für MIC- und MMIC-Anwendungen Ein Großsignal-Modell des SiGe-Hetero-Bipolar-Transistors für den Entwurf monolithisch integrierter Mikrowellen-Schaltungen Entwicklung und Implementierung eines arbeitspunktabhängigen, skalierbaren Klein- und Großsignalmodells für Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung von Temperatur- und Rauscheffekten Modellierung und Simulation der Signal- und Rauscheigenschaften von MMIC-HFET-Mischern Modal analysis of large interconnected power systems Modellierung und Parameterextraktion von GaAs-MESFETs und -HFETs Untersuchungen zum Großsignalbetrieb von Piezoaktoren für Kfz-Anwendungen Experimentelle Modellierung aktiver Bauelemente für die Simulation nichtlinearer Mikrowellenschaltungen Grosssignal- und Rauschmodellierung von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren Parameterextraktion für ein Makromodell des diskreten Bipolar-Transistors Piezoaktoren für den Grosssignalbetrieb Charge based nonlinear modeling of GaAs MESFETs for circuit simulations

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Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Großsignalverhalten

Empirical large-signal modeling of 22-nm FDSOI CMOS transistors in RF/mm-Wave range

Characterization and Modeling of the Threshold Voltage Instability in p-Gate GaN HEMTs

Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors for High Power Applications

High-Q AlGaN/GaN varactors for mobile communication systems

Kurzzeitverhalten von leistungselektronisch angekoppelten Verbrauchern mit frequenzabhängiger netzdienlicher Regelung

GaN HEMT modeling including trapping effects based on Chalmers model and pulsed S-parameter measurements

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Device characterization and modeling of large-size GaN HEMTs

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Charakterisierung und Modellierung von Aluminium-Galliumnitrid, Galliumnitrid-Heterostrukturfeldeffekttransistoren

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