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Allgemeinbegriff

HEMT

Feldeffekttransistor

Subject heading	HEMT
Synonym	Two dimensional electron gas field effect transistor TEG-FET MOD-FET Modulation-doped FET High electron mobility transistor Modulationsdotierter Feldeffekttransistor Heterojunction field-effect transistor HFET (Abkürzung)
Broader term	Feldeffekttransistor
Topic	Elektronik, Nachrichtentechnik
Source	B 1986 Wikipedia
Record type	Allgemeinbegriff
GND-Identifier	4211873-6
Record ID	042118735
Topic of show all Application and integration of GaN power transistors for high-frequency and high-efficiency power conversion Design and Investigation of Efficient Millimeter-wave Silicon-based Power Amplifiers Investigation of scalability challenges in advanced RF circuits and systems Bestimmung und Analyse der Verluste von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern in einem Antriebsumrichter Bestimmung und Analyse der Verluste von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern in einem Antriebsumrichter Characterization, Analysis, and Modeling of Dynamic Radio-Frequency Large-Signal Operating Limits, and Long-Term Reliability and Degradation of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors Characterization, Analysis, and Modeling of Dynamic Radio-Frequency Large-Signal Operating Limits, and Long-Term Reliability and Degradation of Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors Eigenschaften von Kohlenstoffdotierten GaN-Pufferschichten für Anwendungen in Hochleistungsbauelementen Growth and characterization of vertical GaN-on-Si(111) PN structures for power applications Highly Efficient CMOS Compatible Ohmic Contacts for WBG Nitride Power Devices Modulation of material and electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure and Schottky barriers in relation to GaN substrates offcut angle Untersuchung einer neuartigen Kurzschlusserkennungsmethode für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter Untersuchungen zu Herstellungsmöglichkeiten von GaN-basierenden vertikalen Feldeffekt-Transistoren 3D GaN Nanowire Platform for Vertical Electronics and Sensors Advanced power amplifier concepts for modern communication systems and standards Entwurf und Charakterisierung eines GaN Multilevel Gate-Treibers Epitaxy of novel AlScN/GaN and AlYN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapour deposition Neutron Induced Single-Event-Effects in Gallium-Nitride High Electron Mobility Transistors Optimization of GaN mm-wave transistors Robuste rauscharme GaN Verstärker : Untersuchung und Limitierung der Ausgangsleistung im Überlastfall Short channel GaN FET MMIC technology for high reliability applications Short channel GaN FET MMIC technology for high reliability applications Characterization and Modeling of the Threshold Voltage Instability in p-Gate GaN HEMTs Comparison of GaN-Technologies and Their Potential for High Power Amplification at K-/Ka-Band Coreless planar transformer for hard-switching applications Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren Electromagnetic switching cell design and characterization for fast switching semiconductors Linearity-enhanced and broadband amplification and transmitter concepts Modulationsdotierte Germanium-MOSFETs für den Spin-Transport in zweidimensionalen Lochgasen Ternäre Oxide zur Passivierung von GaN-basierten elektronischen Bauelementen Zuverlässigkeit von AlGaN/GaN-Leistungsbauelementen CVD-Wachstum von Diamantspitzen mit Stickstoff-Vakanz-Zentren für die Raster-Sonden-Magnetometrie Design of millimeter-wave power amplifiers in gallium nitride high-electron-mobility transistor technology Device Concept Study of GaN-on-Si HEMTs with Deeply Scaled Field Plate for Improved High Frequency Performance Fabrication and Characterization of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors for High Power Applications Jahresbericht 22/23 Forschungsprojekt SCHARF : : Skalenübergreifende Charakterisierung<br>robuster funktionaler Materialsysteme Realization of radio frequency digital-to-analog converters in gallium nitride technology for 5G mobile communication Small-signal and noise modeling of high-electron-mobility transistors for use in quantum technologies Submillimeter-wave monolithic integrated circuits with metastructure-based on-chip antennas Switching characteristics of integrated GaN-on-Si half-bridge and driver circuits Untersuchung zur Herstellungstechnologie und zum Hochfrequenzverhalten von GaN-basierten Feldeffekt Transistoren Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften A 50-nm gate-length metamorphic HEMT technology optimized for cryogenic ultra-low-noise operation Analyse einer analogen Millimeter-Wellen Vorverzerrung für Raumfahrtapplikationen Broadband 400-GHz InGaAs mHEMT transmitter and receiver S-MMICs Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen Herstellung und Charakterisierung von schnellen pseudomorphen InP-In x Ga 1-x As-InP-p-und-n-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren : ein Beitrag zur modernen Halbleitertechnik Herstellung und Untersuchung von AlGaN/GaN HEMTs auf SiC/Si-Pseudosubstrat High-Q AlGaN/GaN varactors for mobile 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Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

HEMT

Application and integration of GaN power transistors for high-frequency and high-efficiency power conversion

Design and Investigation of Efficient Millimeter-wave Silicon-based Power Amplifiers

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Bestimmung und Analyse der Verluste von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern in einem Antriebsumrichter

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Eigenschaften von Kohlenstoffdotierten GaN-Pufferschichten für Anwendungen in Hochleistungsbauelementen

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