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Allgemeinbegriff

n-Kanal-FET

Feldeffekttransistor

Subject heading	n-Kanal-FET
Synonym	n-Kanal-MOSFET n-Kanal-Feldeffekttransistor n-Kanal-Transistor n-channel MOSFET NMOS-Transistor
Broader term	Feldeffekttransistor
Topic	Elektronik, Nachrichtentechnik
Source	ZDE-Thes. Wikipedia
Record type	Allgemeinbegriff
GND-Identifier	4218590-7
Record ID	042185904
Topic of show all Exploring the potential of Janus MoSSe and related Janus alloy monolayers Entwurf und Layout einer Treiberstufe für die Verwen-dung in einem synchronen Abwärtswandler Entwicklung und Herstellung rekonfigurierbarer Nanodraht-Transistoren und Schaltungen Data transmission at millimeter waves : exploiting the 60 GHz band on silicon Data Transmission at Millimeter Waves : Exploiting the 60 GHz Band on Silicon Entwicklung und Herstellung rekonfigurierbarer Nanodraht-Transistoren und Schaltungen Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid Semiklassische Modellierung des Ladungstransports in Inversionsschichten für Sub-100 nm-SiGe-CMOS-Transistoren Technologiekonzepte für sub-100-nm-SiGe-hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich Technologiekonzepte für sub-100-nm-SiGe-Hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich Low voltage hot carrier issues in deep sub-micron metal oxide semiconductor field effect transistors Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berücksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung Herstellung von sub-μm-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren [sub-my-m-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren] (HFETs) und ersten Testschaltungen für Hochfrequenzanwendungen Monte-Carlo-Simulation des Hochenergietransports von Elektronen in submikron MOS-Strukturen Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluss hochenergetischer Ladungsträger : der "Hot-Electron"-Effekt Analoge zeitkontinuierliche Filter in NMOS-Technologie

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Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

n-Kanal-FET

Exploring the potential of Janus MoSSe and related Janus alloy monolayers

Entwurf und Layout einer Treiberstufe für die Verwen-dung in einem synchronen Abwärtswandler

Entwicklung und Herstellung rekonfigurierbarer Nanodraht-Transistoren und Schaltungen

Data transmission at millimeter waves : exploiting the 60 GHz band on silicon

Data Transmission at Millimeter Waves : Exploiting the 60 GHz Band on Silicon

Entwicklung und Herstellung rekonfigurierbarer Nanodraht-Transistoren und Schaltungen

Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid

Semiklassische Modellierung des Ladungstransports in Inversionsschichten für Sub-100 nm-SiGe-CMOS-Transistoren

Technologiekonzepte für sub-100-nm-SiGe-hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich

Technologiekonzepte für sub-100-nm-SiGe-Hetero-Feldeffekttransistoren zur Anwendung im Hochfrequenzbereich

Low voltage hot carrier issues in deep sub-micron metal oxide semiconductor field effect transistors

Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berücksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung

Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung

Herstellung von sub-μm-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren [sub-my-m-Si/SiGe-Heterostrukturfeldeffekttransistoren] (HFETs) und ersten Testschaltungen für Hochfrequenzanwendungen

Monte-Carlo-Simulation des Hochenergietransports von Elektronen in submikron MOS-Strukturen

Die Alterung bei n-Kanal-MOS-Transistoren unter dem Einfluss hochenergetischer Ladungsträger : der "Hot-Electron"-Effekt

Analoge zeitkontinuierliche Filter in NMOS-Technologie