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Allgemeinbegriff

Elektrischer Durchbruch

Nur im halbleiterphysikalischen Sinn verwenden, sonst besser SW Elektrischer Durchschlag

Subject heading	Elektrischer Durchbruch
Definition	Nur im halbleiterphysikalischen Sinn verwenden, sonst besser SW Elektrischer Durchschlag
Synonym	Durchbruch (Halbleiter)
Topic	Elektronik, Nachrichtentechnik
Source	ZDE-Thes.
Record type	Allgemeinbegriff
GND-Identifier	4272300-0
Record ID	042723000
Topic of show all External and Internal Factors Influencing the Short Circuit of IGBTs and SiC-MOSFETs Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften Ermittlung und Auswirkung der Durchbruchkraft beim Scherschneiden Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik Jens Peter Jacobsens Roman "Niels Lyhne" als Text des Modernen Durchbruchs Ruggedness of high-voltage IGBTs and protection solutions Ruggedness of High-Voltage IGBTs and Protection Solutions Elektrofusion und Elektropermeabilisierung von Zellen Determination of the local electric field strength near electric breakdown within devices Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika Alles nur eine Frage der Zeit : Mobile Commerce steht vor dem Durchbruch Charakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch Entwicklung von GaAs-basierten Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBTs) für Mikrowellen-Leistungszellen G-20-Gipfel in London : Ein Durchbruch zur Regulierung der Finanzmärkte? Neue Technologien und Finanzkrise : Der Durchbruch für die Telearbeit Durchbruch von E-Books : Abhängig von der Einführung eines akzeptablen DRM-Standards? Entwicklung von GaAs-basierten Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBTs) für Mikrowellen-Leistungszellen Handy-Fernsehen : Kommt der Durchbruch bald? Der Durchbruch der Digitalisierung und die Folgen Charakterisierung von MOS-Transistoren vor und nach Gateoxiddurchbruch Untersuchungen von dünnen Aluminiumoxid-Schichten Untersuchungen von dünnen Aluminiumoxid-Schichten Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Trench-MOS-Leistungstransistoren Durchbruchsverhalten von Gateoxiden : Einfluss eingewachsener Defekte und metallischer Verunreinigungen Durchbruchsverhalten von Gateoxiden : Einfluss eingewachsener Defekte und metallischer Verunreinigungen Elektronische Bauelemente auf der Basis selbstorganisierter molekularer Monolagen Monolithischer bidirektionaler Schalter für Matrixumrichter Bemessungskriterien und neue Strukturelemente für laterale bipolare Leistungsbauelemente Vertikaler EST (Emitter Switched Thyristor) mit SIMOX-Transistor für intelligente Leistungshalbleiter Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransisitoren auf InP Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransistoren auf InP Stabilität von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf hexagonalem Siliciumkarbid Stabilität von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf hexagonalem Siliciumkarbid Einsatzkriterien von MOS controlled Thyristoren (MCT) für ihre Anwendungen in der Leistungselektronik Untersuchungen zum Stoßionisationsdurchbruch in p-Germanium mit einem Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop Elementare Anregungen und ihre Wechselwirkungen : Untersuchungen von Reaktions-Diffusions-Modellen im Vergleich mit elektrischen Durchbruchsexperimenten Analysis and development of high voltage bipolar transistors for BiCMOS smart power applications Untersuchung der Sperrfähigkeit von Halbleiter-Bauelementen mittels numerischer Simulation Analysis and numerical simulation of current filamentation in power semiconductor devices Die Sperrfähigkeit von Feldplattenstrukturen für hochsperrende planare pn-Übergänge Experimente zum kritischen Verhalten beim bi- und multistabilen Ladungstransport in p-Germanium

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Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Elektrischer Durchbruch

External and Internal Factors Influencing the Short Circuit of IGBTs and SiC-MOSFETs

Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

Versetzungen und inverse Pyramidendefekte in AlGaN/GaN-HEMT-Strukturen auf Si und deren Einfluss auf Material- und Bauelementeigenschaften

Ermittlung und Auswirkung der Durchbruchkraft beim Scherschneiden

Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik

Jens Peter Jacobsens Roman "Niels Lyhne" als Text des Modernen Durchbruchs

Ruggedness of high-voltage IGBTs and protection solutions

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Elektrofusion und Elektropermeabilisierung von Zellen

Determination of the local electric field strength near electric breakdown within devices

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Durchbruch von E-Books : Abhängig von der Einführung eines akzeptablen DRM-Standards?

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Untersuchungen von dünnen Aluminiumoxid-Schichten

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Durchbruchsverhalten von Gateoxiden : Einfluss eingewachsener Defekte und metallischer Verunreinigungen

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Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Höchstgeschwindigkeitstransisitoren auf InP

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Stabilität von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf hexagonalem Siliciumkarbid

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Elementare Anregungen und ihre Wechselwirkungen : Untersuchungen von Reaktions-Diffusions-Modellen im Vergleich mit elektrischen Durchbruchsexperimenten

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Untersuchung der Sperrfähigkeit von Halbleiter-Bauelementen mittels numerischer Simulation

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Die Sperrfähigkeit von Feldplattenstrukturen für hochsperrende planare pn-Übergänge

Experimente zum kritischen Verhalten beim bi- und multistabilen Ladungstransport in p-Germanium