Title |
Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm / Désriée Queren |
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Involved |
Désriée Queren (Verfasser) |
Published |
Aachen: Shaker |
Extent |
IV, 160 S. : Ill., graph. Darst. |
Thesis |
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2010 |
ISBN |
978-3-8322-9162-4 |
Language |
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Country |
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Topic |
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Subject |
Laserdiode, MOCVD-Verfahren, Galliumnitrid, Indiumnitrid, Quantenwell |
DDC notation |
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Series |
Berichte aus der Halbleitertechnik |
Record ID |
1003886817 |
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