Title |
Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC) / von Birgit Kallinger. Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie, IISB |
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Involved |
Birgit Kallinger (Verfasser) |
Published |
Stuttgart: Fraunhofer-Verl. |
Extent |
XI, 206 S. : Ill., graph. Darst. |
Thesis |
Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Techn. Univ., Diss., 2011 |
ISBN |
978-3-8396-0342-0 |
Language |
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Country |
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Topic |
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Subject |
Siliciumcarbid, Hexagonaler Kristall, CVD-Verfahren, Homoepitaxie, Versetzung (Kristallographie) |
DDC notation |
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Record ID |
1017942765 |
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