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Erdin Ture, Oliver Ambacher, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Institut für Mikrosystemtechnik et al.

GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors

Freiburg: Universität, 2016

Title

GaN-based Tri-gate high electron mobility transistors

Involved 

Erdin Ture (Verfasser)
Oliver Ambacher (Akademischer Betreuer)
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Institut für Mikrosystemtechnik (Mitwirkender)
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (Sonstige)
Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. Fakultät für Angewandte Wissenschaften (Grad-verleihende Institution)

Published

Freiburg: Universität
2016

Extent

Online-Ressource

Thesis

Dissertation, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, 2016

Language

Englisch

Country

Deutschland

Topic

Elektrotechnik, Elektronik

Subject

HEMT, Galliumnitrid, Millimeterwellentechnik, Multigate-Transistor, Mesa-Technik, Leistungssteigerung, Leistungsverstärker

DDC notation

621.3815284

Persistent identifier

urn:nbn:de:bsz:25-freidok-130551 (URN)
10.6094/UNIFR/13055 (DOI)

Further information

IN COPYRIGHT http://rightsstatements.org/page/InC/1.0 rs

Record ID

1143602811
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