Title |
Herstellung von p-Kanal-Ge-MOSFETs auch Si-Substraten mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (SME) / Dirk Reinking |
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Involved |
Dirk Reinking (Verfasser) |
Published |
Aachen: Shaker |
Extent |
Online-Ressource, 149 Seiten : 97 Abb. |
ISBN |
978-3-8265-9293-5 |
Language |
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Country |
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Topic |
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Subject |
MOS-FET, p-Kanal-FET, Silicium, Germanium, Heteroepitaxie, Grenzflächenaktiver Stoff |
DDC notation |
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Series |
Berichte aus der Halbleitertechnik |
Other editions |
Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Herstellung von p-Kanal-Ge-MOSFETs auf Si-Substraten mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (SME) |
Persistent identifier |
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Record ID |
1186573791 |
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