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Person

Joachim Wagner (1971-)

Physiker

Name	Joachim Wagner
Time	1971- (Date of birth and death)
Academic degree	Prof. Dr.
Profession	Physiker (characteristic profession)
Further information	Diss. Fakultät für Physik und Astronomie
Record type	Person
GND-Identifier	12914939X
Record ID	12914939X
Involved in show all Halbleiter-Scheibenlaser und ihre Integration in anwendungsspezifische Resonatoren Security Research Conference - 11th Future Security : Berlin, September 13-14, 2016 : proceedings Elektro-optische Charakterisierung der Dynamik von GaInAs Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem Mikro-Photolumineszenz an fluoreszierenden Defektzentren in CVD-gewachsenen einkristallinen Diamantschichten Optische Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Oberflächen in Kombination mit 1st principles Rechnungen Epitaxial growth and device fabrication of GaN based electronic and optoelectronic structures = Epitaktisches Wachstum und Bandelementfertigung von GaN basierten elektronischen und optoelektronischen Strukturen Optische Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Oberflächen in Kombination mit 1st principles Rechnungen

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Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Joachim Wagner (1971-)

Halbleiter-Scheibenlaser und ihre Integration in anwendungsspezifische Resonatoren

Security Research Conference - 11th Future Security : Berlin, September 13-14, 2016 : proceedings

Elektro-optische Charakterisierung der Dynamik von GaInAs

Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem

Mikro-Photolumineszenz an fluoreszierenden Defektzentren in CVD-gewachsenen einkristallinen Diamantschichten

Optische Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Oberflächen in Kombination mit 1st principles Rechnungen

Epitaxial growth and device fabrication of GaN based electronic and optoelectronic structures = Epitaktisches Wachstum und Bandelementfertigung von GaN basierten elektronischen und optoelektronischen Strukturen

Optische Charakterisierung von II-VI-Halbleiter-Oberflächen in Kombination mit 1st principles Rechnungen