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Nomenklatur (Biologie / Chemie)

Indiumnitrid

Borgruppennitride

Subject heading	Indiumnitrid
Broader term	Borgruppennitride
Topic	Anorganische Chemie
Source	Vorlage
Record type	Nomenklatur (Biologie / Chemie)
GND-Identifier	4460230-3
Record ID	950760951
Topic of show all Eigenschaften von Kohlenstoffdotierten GaN-Pufferschichten für Anwendungen in Hochleistungsbauelementen Ortsaufgelöste elektro-optische Analyse neuartiger GaN-LEDs Effekte freier Ladungsträger auf die optischen Eigenschaften von kubischem Galliumnitrid Optically Pumped InGaN-Heterostructures for Bio-Chemical Sensing: Characterization and Optimization Polaritäts- und ortskontrollierte Nitrid-Epitaxie von Nanodrähten zur technologischen Herstellung von Lichtemittern auf Si-Substraten Untersuchung zur Herstellungstechnologie und zum Hochfrequenzverhalten von GaN-basierten Feldeffekt Transistoren Nitridische Halbleiter-Nanostrukturen als optisch auslesbare Sensoren Optische Untersuchung von semipolaren InGaN/GaN-Quantengräben mit der Kristallorientierung (202̄1̄) und (202̄1) Optoelektronische Eigenschaften neuartiger Materialien für lichtemittierende Bauelemente Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells : stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion GaN-Nanostreifen für LED- und Laseranwendungen Intermediate in der ammonothermalen GaN-Kristallzucht durch Einsatz neuartiger Mineralisatoren und Synthesestrategie für Indiumnitrid Optische Nanocharakterisierung GaN-basierter Quantenstrukturen für Mikroaktivitäten Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells: stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion Strahlende und strahlungslose Rekombinationsprozesse in Gruppe-III-Nitrid-Quantenfilmen Strahlende und strahlungslose Rekombinationsprozesse in Gruppe-III-Nitrid-Quantenfilmen Optische Polarisationsabhängigkeit semipolarer und nonpolarer InGaN-Quantenfilme und ihre Ladungsträgerstatistik Optische Polarisationsabhängigkeit semipolarer und nonpolarer InGaN-Quantenfilme und ihre Ladungsträgerstatistik Untersuchung der Relaxation und chemischen Zusammensetzung von sehr dünnen GaInN-GaN-Quantenfilm-Strukturen mit hohem Indiumgehalt Integration von InGaN-Quantenpunkten in monolithische Mikrokavitäten zur Realisierung einer Einzelphotonenquelle Local charge carrier diffusion and recombination in InGaN quantum wells Local charge carrier diffusion and recombination in InGaN quantum wells = Lokale Ladungsträgerdiffusion und -rekombination in InGaN Quantentrögen GaN and ZnO-based materials and devices GaN and ZnO-based Materials and Devices MOVPE growth and characterization of (In,Ga)N quantum structures for laser diodes emitting at 440 nm Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen MOVPE growth and characterization of (In,Ga)N quantum structures for laser diodes emitting at 440 nm Transmission electron microscopy of InxGa1-xNyAs1-y nanostructures using ab-initio structure factors for strain-relaxed supercells Transmission electron microscopy of InxGa1-xNyAs1-y nanostructures using ab-initio structure factors for strain-relaxed supercells Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld Dreidimensionale Licht emittierende GaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen Metall-organische Gasphasenepitaxie von (Al-In)GaN-Halbleiterlaserdioden im Wellenlängenbereich von 440nm bis 500nm Ultrakurze THz-Pulse hoher mittlerer Leistung GalnN /GaN LEDs auf semipolaren Seitenfacetten mittels selektiver Epitaxie hergestellter GaN-Streifen Optische Verstärkung und Wellenleitung in GaInN/GaN-Laserstrukturen Spektroskopie von piezoelektrischen Halbleitermaterialien für optoelektonische Anwendungen Surface characterization of indium compounds as functional layers for (opto)electronic and sensoric applications Methoden zur Defektreduzierung in optoelektronischen Ga1-xInxN-Bauelementen : Epitaxie und Charakterisierung Charakterisierung interner optischer Verluste von Leuchtdioden im InGaN-Materialsystem mit Hilfe integrierter Wellenleiter Metallorganische Molekularstrahlepitaxie von GaN und InN Die Rolle von Defekten in hocheffizient emittierenden InGaN-basierten Heterostrukturen Die Rolle von Defekten in hocheffizient emittierenden InGaN-basierten Heterostrukturen Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N,GaN multiple quantum wells Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells Herstellung und Charakterisierung von lichtemittierenden Dioden im AlGaInN-Materialsystem Prozesstechnologie für GaN-basierende Leuchtdioden Quantitative Analyse der Zusammensetzung von GaInN-GaN-Heterostrukturen mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden Ortsaufgelöste Kurzzeitspektroskopie an GaN-InGaN Ortsaufgelöste Kurzzeitspektroskopie an GaN-InGaN (Al,Ga,In)N heterostructures grown along polar and non-polar directions by plasma-assisted molecular beam epitaxy (Al,Ga,In)N heterostructures grown along polar and non-polar directions by plasma-assisted molecular beam epitaxy Localization, disorder, and polarization fields in wide-gap semiconductor quantum wells Localization, disorder, and polarization fields in wide-gap semiconductor quantum wells Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGaInN Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGalnN Charakterisierung und Optimierung von Leuchtdioden auf der Basis von GaN

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Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Indiumnitrid

Eigenschaften von Kohlenstoffdotierten GaN-Pufferschichten für Anwendungen in Hochleistungsbauelementen

Ortsaufgelöste elektro-optische Analyse neuartiger GaN-LEDs

Effekte freier Ladungsträger auf die optischen Eigenschaften von kubischem Galliumnitrid

Optically Pumped InGaN-Heterostructures for Bio-Chemical Sensing: Characterization and Optimization

Polaritäts- und ortskontrollierte Nitrid-Epitaxie von Nanodrähten zur technologischen Herstellung von Lichtemittern auf Si-Substraten

Untersuchung zur Herstellungstechnologie und zum Hochfrequenzverhalten von GaN-basierten Feldeffekt Transistoren

Nitridische Halbleiter-Nanostrukturen als optisch auslesbare Sensoren

Optische Untersuchung von semipolaren InGaN/GaN-Quantengräben mit der Kristallorientierung (202̄1̄) und (202̄1)

Optoelektronische Eigenschaften neuartiger Materialien für lichtemittierende Bauelemente

Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells : stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion

GaN-Nanostreifen für LED- und Laseranwendungen

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Optische Nanocharakterisierung GaN-basierter Quantenstrukturen für Mikroaktivitäten

Charge carrier dynamics in InGaN quantum wells: stimulated emission depletion and lateral charge carrier motion

Strahlende und strahlungslose Rekombinationsprozesse in Gruppe-III-Nitrid-Quantenfilmen

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Optische Polarisationsabhängigkeit semipolarer und nonpolarer InGaN-Quantenfilme und ihre Ladungsträgerstatistik

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Untersuchung der Relaxation und chemischen Zusammensetzung von sehr dünnen GaInN-GaN-Quantenfilm-Strukturen mit hohem Indiumgehalt

Integration von InGaN-Quantenpunkten in monolithische Mikrokavitäten zur Realisierung einer Einzelphotonenquelle

Local charge carrier diffusion and recombination in InGaN quantum wells

Local charge carrier diffusion and recombination in InGaN quantum wells = Lokale Ladungsträgerdiffusion und -rekombination in InGaN Quantentrögen

GaN and ZnO-based materials and devices

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Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

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Transmission electron microscopy of InxGa1-xNyAs1-y nanostructures using ab-initio structure factors for strain-relaxed supercells

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Dreidimensionale Licht emittierende GaInN-GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld

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Hochortsaufgelöste elektro-optische Charakterisierung von InGaN-GaN-LED-Strukturen

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Ultrakurze THz-Pulse hoher mittlerer Leistung

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Surface characterization of indium compounds as functional layers for (opto)electronic and sensoric applications

Methoden zur Defektreduzierung in optoelektronischen Ga1-xInxN-Bauelementen : Epitaxie und Charakterisierung

Charakterisierung interner optischer Verluste von Leuchtdioden im InGaN-Materialsystem mit Hilfe integrierter Wellenleiter

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Die Rolle von Defekten in hocheffizient emittierenden InGaN-basierten Heterostrukturen

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Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden

Growth and characterization of M-plane GaN and (In,Ga)N,GaN multiple quantum wells

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Herstellung und Charakterisierung von lichtemittierenden Dioden im AlGaInN-Materialsystem

Prozesstechnologie für GaN-basierende Leuchtdioden

Quantitative Analyse der Zusammensetzung von GaInN-GaN-Heterostrukturen mittels Transmissionselektronenmikroskopie (TEM)

Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden

Ortsaufgelöste Kurzzeitspektroskopie an GaN-InGaN

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(Al,Ga,In)N heterostructures grown along polar and non-polar directions by plasma-assisted molecular beam epitaxy

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Localization, disorder, and polarization fields in wide-gap semiconductor quantum wells

Localization, disorder, and polarization fields in wide-gap semiconductor quantum wells

Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGaInN

Metallorganische Gasphasenepitaxie für optoelektronische und elektronische Bauelemente im Materialsystem AlGalnN

Charakterisierung und Optimierung von Leuchtdioden auf der Basis von GaN